2020年5月13日,紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),一家领先的非易失性存储供应商,宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产,产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗Master宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢,其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址,从而实现真正的XIP(execute in place)操作。

XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装,在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装,协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持Known Good Die (KGD)解决方案,并为客户提供RDL服务,满足客户定制化的SiP需求。

“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺,在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示,“针对快速发展的IoT和5G市场,武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品,不断拓展产品线,为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”