金升阳紧跟功率半导体市场动向，推出QAxx3D-2GR3（下文称：QA-R3系列驱动电源），可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上，为IGBAbraconT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠、高效率的驱动电源方案。

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一、产品介绍

1）高可靠性保障

QA-R3系列驱动电源在变压器设计上采用了独特设计，通过增加原副边爬电距离，使得电气间隙满足14.5mm的安规要求，隔离电容3.5pF，隔离电压达到5000VAC（基于EN61800-5-1标准要求）；产品采用加强绝缘设计，极大提高了可靠性。

该系列还满足EN50178/EN61800-5-1标准要求，通过EN62368认证（认证中），符合UL62368设计要求；高可靠的设计保证其可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上，为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠的驱动电源方案。

2）效率高达88%

采用独特电路设计方案，在电路设计上，减小了原副边漏感的影响，极大地提升产品效率，使得产品效率高达88%，处于行业领先地位。

3）单路2.4W输出功率，双通道输出，设计更灵活

采用双通道输出设计，单路输出功率可达到2.4W，两通道之间满足加强绝缘要求（5000VAC隔离），有效降低了客户的使用成本和占板面积使得客户设计更加灵活。

一、产品特点

● 效率高达88%

● 隔离电压高达5000VAC(加强绝缘)

● 最大容性负载200uF

● 隔离电容3.5pF typ.

● 工作电压范围：-40℃ to +105℃

● 整机材质符合CTI 1类

● 专为1700V IGBT/SiC MOSFET驱动器设计

● 符合UL62368、EN61800、EN50178标准认证要求

● 通过EN62368认证

型号标题

输入

电压

(VDC)
输出电流
(mA)
工作温度

输出

电压正

(VDC)

效率

%

隔离

电压

(VAC)

封装

形式

QA123D-2GR3
12
100/100
-40℃ to+105℃
24
88
5000
DIP
QA153D-2GR3
15
QA243D-2GR3
24

详细产品技术参数请参考技术手册：QAxx3D-2GR3