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图片信息

基本资料：

零件型号：WNSC08650T6J

制造厂商：WeEn

技术规格：SILICON CARBIDE POWER DIODE

功能类别：二极管 - 整流器 - 单

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技术参数详情：

制造商产品型号：WNSC08650T6J

制造商：WeEn Semiconductors

描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE

系列：二极管 - 整流器 - 单

产品系列：-

零件状态：有源

二极管类型：碳化硅肖特基

电压-DC反向(Vr)（最大值）：650V

电流-平均整流(Io)：8A

不同If时电压-正向(Vf)：1.7V @ 8A

速度：无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间(trr)：0ns

不同Vr时电流-反向泄漏：50μA @ 650V

不同?Vr、F时电容：267pF @ 1V，1MHz

安装类型：表面贴装型

封装：4-VDFN

供应商器件封装：5-DFN（8x8）

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