SQJ860EP-T1_GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SQJ860EP-T1_GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2700pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：48W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SO-8买IC网自营直供，SQJ860EP-T1_GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SQJ860EP-T1_GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
