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    SIB912DK-T1-GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
    图片信息
    SIB912DK-T1-GE3图片
    基本资料：
  • 零件型号：SIB912DK-T1-GE3
  • 制造厂商：Vishay
  • 技术规格：MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • 功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载SIB912DK-T1-GE3的原厂技术规格书（PDF文件）
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    • 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：SIB912DK-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：TrenchFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：216 毫欧 @ 1.8A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3nC @ 8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：95pF @ 10V
  • 功率-最大值：3.1W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
  • 买IC网自营直供，SIB912DK-T1-GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
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