SIB455EDK-T1-GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SIB455EDK-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 5.6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 8VVgs（最大值）：±10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），13W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SC-75-6L 单买IC网自营直供，SIB455EDK-T1-GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SIB455EDK-T1-GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
