SIA439EDJ-T1-GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SIA439EDJ-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.5 毫欧 @ 5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：69nC @ 8VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2410pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单买IC网自营直供，SIA439EDJ-T1-GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SIA439EDJ-T1-GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
