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SI7317DN-T1-GE3(Vishay)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
SI7317DN-T1-GE3图片
基本资料:
  • 零件型号:SI7317DN-T1-GE3
  • 制造厂商:Vishay
  • 技术规格:MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
  • 功能类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载SI7317DN-T1-GE3的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SI7317DN-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:TrenchFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):150V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):2.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.8nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):365pF @ 75V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),19.8W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PowerPAK? 1212-8
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