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图片信息

基本资料：

零件型号：SI6924AEDQ-T1-GE3

制造厂商：Vishay

技术规格：MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

点击此处下载SI6924AEDQ-T1-GE3的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：SI6924AEDQ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：28V

25°C时电流-连续漏极(Id)：4.1A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 4.6A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

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SI6924AEDQ-T1-GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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