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图片信息

基本资料：

零件型号：SI4913DY-T1-E3

制造厂商：Vishay

技术规格：MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

点击此处下载SI4913DY-T1-E3的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：SI4913DY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：TrenchFET?

零件状态：停产

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：7.1A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 9.4A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 500μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

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SI4913DY-T1-E3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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