SI2315BDS-T1-GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SI2315BDS-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：715pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：750mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3（TO-236）买IC网自营直供，SI2315BDS-T1-GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SI2315BDS-T1-GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
