TPH3206LDGB（Transphorm）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：TPH3206LDGB制造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 16A PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 11A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±18V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480VFET功能：-功率耗散（最大值）：81W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PQFN（8x8）买IC网自营直供，TPH3206LDGB均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TPH3206LDGB（制造商：Transphorm），技术规格GANFET N-CH 650V 16A PQFN 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
