TP65H480G4JSG-TR(Transphorm)|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情:
制造商产品型号:TP65H480G4JSG-TR制造商:Transphorm描述:GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):3.6A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):8V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):560 毫欧 @ 3.4A,8V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.8V @ 500μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8V @ 8nCVgs(最大值):±18V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):400V @ 760pFFET功能:-功率耗散(最大值):13.2W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:3-PQFN(5x6)买IC网自营直供,TP65H480G4JSG-TR均从电子元器件代理商采购,确保原装正品!
TP65H480G4JSG-TR(制造商:Transphorm),技术规格GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN 晶体管 - FET,MOSFET - 单个