TP65H070LDG（Transphorm）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：TP65H070LDG制造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TP65H070L零件状态：有源FET类型：N 通道技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 16A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.3nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：600pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：96W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：3-PQFN（8x8）买IC网自营直供，TP65H070LDG均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TP65H070LDG（制造商：Transphorm），技术规格GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
