TP65H050WS（Transphorm）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：TP65H050WS制造商：Transphorm描述：GANFET N-CH 650V 34A TO247-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：34A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 22A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：119W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-247-3买IC网自营直供，TP65H050WS均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TP65H050WS（制造商：Transphorm），技术规格GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
