TPC8118(TE12L,Q,M)（Toshiba）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
东芝半导体公司完整型号：TPC8118(TE12L,Q,M)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 6.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）买IC网自营直供，TPC8118(TE12L,Q,M)均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TPC8118(TE12L,Q,M)（制造商：Toshiba），技术规格MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC 单端场效应管
