TPC8012-H(TE12L,Q)（Toshiba）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
东芝半导体公司完整型号：TPC8012-H(TE12L,Q)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 900mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：440pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）买IC网自营直供，TPC8012-H(TE12L,Q)均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TPC8012-H(TE12L,Q)（制造商：Toshiba），技术规格MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP 单端场效应管
