TJ9A10M3,S4Q(M（Toshiba）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
东芝半导体公司完整型号: TJ9A10M3,S4Q(M制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3系列: -FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 4.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 47nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2900pF @ 10V功率 - 最大值: 19W安装类型: 通孔封装/外壳: TO-220-3 整包供应商器件封装: TO-220SIS买IC网自营直供，TJ9A10M3,S4Q(M均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TJ9A10M3,S4Q(M（制造商：Toshiba），技术规格MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3 FET - 单
