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    HN3C51F-GR(TE85L,F（Toshiba）|买IC网-电子元器件代理
    图片信息
    HN3C51F-GR(TE85L,F图片
    基本资料：
  • 零件型号：HN3C51F-GR(TE85L,F
  • 制造厂商：Toshiba
  • 技术规格：TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  • 功能类别：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 点击此处下载HN3C51F-GR(TE85L,F的原厂技术规格书（PDF文件）
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    • 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：HN3C51F-GR(TE85L,F
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：120V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 2mA，6V
  • 功率-最大值：300mW
  • 频率-跃迁：100MHz
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • 买IC网自营直供，HN3C51F-GR(TE85L,F均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
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    HN3C51F-GR(TE85L,F（制造商：Toshiba），技术规格TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
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