TSM088NA03CR RLG（Taiwan）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：TSM088NA03CR RLG制造商：Taiwan Semiconductor Corporation描述：MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：61A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.8 毫欧 @ 13A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：750pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：56W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-PDFN（5x6）买IC网自营直供，TSM088NA03CR RLG均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TSM088NA03CR RLG（制造商：Taiwan），技术规格MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
