GPA015A120MN-ND（SemiQ）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：GPA015A120MN-ND制造商：SemiQ描述：IGBT 1200V 30A 212W TO3PN系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT 和沟道电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：30A电流-集电极脉冲(Icm)：45A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，15A功率-最大值：212W开关能量：1.61mJ（开），530μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：210nC25°C时Td（开/关）值：25ns/166ns测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：320ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3买IC网自营直供，GPA015A120MN-ND均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
GPA015A120MN-ND（制造商：SemiQ），技术规格IGBT 1200V 30A 212W TO3PN 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
