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    KMFE60012M-B214（Samsung）|买IC网-电子元器件代理
    图片信息
    KMFE60012M-B214图片
    基本资料：
  • 零件型号：KMFE60012M-B214
  • 制造厂商：Samsung
  • 技术规格：SAMSUNG DRAM NAND
  • 功能类别：多制层封装芯片
  • 点击此处下载KMFE60012M-B214的原厂技术规格书（PDF文件）
  • 现货为主，快速报价，尽全力满足客户从研发到批量生产的所有采购需求！
    • 技术参数详情：
  • 三星芯片型号：KMFE60012M-B214
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：多制层封装芯片
  • eStorage 密度：16 GB
  • eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
  • DRAM 密度：8 Gb
  • DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 封装：221FBGA
  • 速率：1866 Mbps
  • 产品状态：批量生产
  • 买IC网自营直供，KMFE60012M-B214均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
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