K4T1G083QJ-BI（Samsung）|买IC网-电子元器件代理

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图片信息

基本资料：

零件型号：K4T1G083QJ-BI

制造厂商：Samsung

技术规格：SAMSUNG DRAM NAND

功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器

现货为主，快速报价，尽全力满足客户从研发到批量生产的所有采购需求！

技术参数详情：

三星芯片型号：K4T1G083QJ-BI

制造商：SAMSUNG（三星半导体）

功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器

容量：1Gb

架构：128M x 8

速率：1066 Mbps

工作电压：1.8 V

工作温度：-40 ~ 95 °C

封装：60FBGA

产品状态：批量生产

买IC网自营直供，K4T1G083QJ-BI均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！

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