STP35N60DM2（ST）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：STP35N60DM2制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 28A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? DM2零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 14A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2400pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：210W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220买IC网自营直供，STP35N60DM2均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
STP35N60DM2（制造商：ST），技术规格MOSFET N-CH 600V 28A TO220 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
