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图片信息

基本资料：

零件型号：STGD7NB120S-1

制造厂商：ST

技术规格：IGBT 1200V 10A 55W IPAK

功能类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处下载STGD7NB120S-1的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：STGD7NB120S-1

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 10A 55W IPAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH?

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：10A

电流-集电极脉冲(Icm)：20A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A

功率-最大值：55W

开关能量：15mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：29nC

25°C时Td（开/关）值：570ns/-

测试条件：960V，7A，1 千欧，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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STGD7NB120S-1（制造商：ST），技术规格IGBT 1200V 10A 55W IPAK 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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