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STFI11N65M2(ST)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
STFI11N65M2图片
基本资料:
  • 零件型号:STFI11N65M2
  • 制造厂商:ST
  • 技术规格:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
  • 功能类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载STFI11N65M2的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STFI11N65M2
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:MDmesh? II Plus
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):670 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):410pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):25W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:I2PAKFP(TO-281)
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