STB36N60M6（ST）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：STB36N60M6制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? M6零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：44.3nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1960pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：208W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK买IC网自营直供，STB36N60M6均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
STB36N60M6（制造商：ST），技术规格MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
