STB2N62K3（ST）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：STB2N62K3制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SuperMESH3?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：620V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：45W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263（D2Pak）买IC网自营直供，STB2N62K3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
STB2N62K3（制造商：ST），技术规格MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
