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图片信息

基本资料：

零件型号：UPA2732UT1A-E1-AY

制造厂商：Renesas

技术规格：MOSFET LV 8HVSON

功能类别：单端场效应管

点击此处下载UPA2732UT1A-E1-AY的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

Renesas瑞萨完整型号：UPA2732UT1A-E1-AY

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET LV 8HVSON

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：133nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3280pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）

买IC网自营直供，UPA2732UT1A-E1-AY均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！

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UPA2732UT1A-E1-AY（制造商：Renesas），技术规格MOSFET LV 8HVSON 单端场效应管

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