SCT2750NYTB(ROHM)|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情:
制造商产品型号:SCT2750NYTB制造商:Rohm Semiconductor描述:SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1700V25°C时电流-连续漏极(Id):5.9A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):18V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):975 毫欧 @ 1.7A,18V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 630μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 18VVgs(最大值):+22V,-6V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):275pF @ 800VFET功能:-功率耗散(最大值):57W(Tc)工作温度:175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-268买IC网自营直供,SCT2750NYTB均从电子元器件代理商采购,确保原装正品!
相关的热门电子元器件及其品牌
电源管理IC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
SCT2750NYTB(制造商:ROHM),技术规格SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 晶体管 - FET,MOSFET - 单个