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NSVMUN5133DW1T1G(ON)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
NSVMUN5133DW1T1G图片
基本资料:
  • 零件型号:NSVMUN5133DW1T1G
  • 制造厂商:ON
  • 技术规格:TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
  • 功能类别:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处下载NSVMUN5133DW1T1G的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:NSVMUN5133DW1T1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器-基极(R1):4.7 千欧
  • 电阻器-发射极(R2):47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 电流-集电极截止(最大值):500nA
  • 频率-跃迁:-
  • 功率-最大值:250mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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