NGTD23T120F2WP（ON）|买IC网-电子元器件代理

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图片信息

基本资料：

零件型号：NGTD23T120F2WP

制造厂商：ON

技术规格：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

功能类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处下载NGTD23T120F2WP的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：NGTD23T120F2WP

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电流-集电极脉冲(Icm)：120A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，25A

功率-最大值：-

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：模具

买IC网自营直供，NGTD23T120F2WP均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！

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NGTD23T120F2WP（制造商：ON），技术规格IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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