HGT1S20N60A4S9A（ON）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：HGT1S20N60A4S9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 70A 290W TO263AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：70A电流-集电极脉冲(Icm)：280A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A功率-最大值：290W开关能量：105μJ（开），150μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：142nC25°C时Td（开/关）值：15ns/73ns测试条件：390V，20A，3 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB买IC网自营直供，HGT1S20N60A4S9A均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
HGT1S20N60A4S9A（制造商：ON），技术规格IGBT 600V 70A 290W TO263AB 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
