FQI8N60CTU（ON）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：FQI8N60CTU制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 3.75A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1255pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），147W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAK（TO-262）买IC网自营直供，FQI8N60CTU均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
FQI8N60CTU（制造商：ON），技术规格MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
