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FQD7N10LTM(ON)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
FQD7N10LTM图片
基本资料:
  • 零件型号:FQD7N10LTM
  • 制造厂商:ON
  • 技术规格:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
  • 功能类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载FQD7N10LTM的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQD7N10LTM
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:QFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 2.9A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):290pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D-Pak
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