FQD7N10LTM（ON）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：FQD7N10LTM制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.8A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 2.9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：290pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-Pak买IC网自营直供，FQD7N10LTM均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
FQD7N10LTM（制造商：ON），技术规格MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
