FDD306P（ON）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：FDD306P制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 6.7A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1290pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：52W（Ta）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252买IC网自营直供，FDD306P均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
FDD306P（制造商：ON），技术规格MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
