PSMN2R0-30BL（Nexperia）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
Nexperia公司器件型号：PSMN2R0-30BL,118制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离功能总体描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管系列：-零件状态：在售FET 类型：N 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）：30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：117nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6810pF @ 15VVgs（最大值）：±20VFET 功能：-功率耗散（最大值）：211W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 25A，10V工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装Nexperia公司标准封装：D2PAK封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABPSMN2R0-30BL的标准包装数量(SPQ)：800 PCS买IC网自营直供，PSMN2R0-30BL均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
PSMN2R0-30BL（制造商：Nexperia），技术规格MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK FET，MOSFET - 单-晶体管
