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PHD9NQ20T(Nexperia)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
PHD9NQ20T图片
基本资料:
  • 零件型号:PHD9NQ20T
  • 制造厂商:Nexperia
  • 技术规格:MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
  • 功能类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 点击此处下载PHD9NQ20T的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • Nexperia公司器件型号:PHD9NQ20T,118
  • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述:MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
  • 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 系列:TrenchMOS??
  • 零件状态:在售
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):959pF @ 25V
  • Vgs(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):88W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • Nexperia公司标准封装:DPAK
  • 封装形式:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • PHD9NQ20T的标准包装数量(SPQ):10000 PCS
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