PHD9NQ20T（Nexperia）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
Nexperia公司器件型号：PHD9NQ20T,118制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离功能总体描述：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管系列：TrenchMOS??零件状态：在售FET 类型：N 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）：200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：959pF @ 25VVgs（最大值）：-FET 功能：-功率耗散（最大值）：88W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装Nexperia公司标准封装：DPAK封装形式：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63PHD9NQ20T的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS买IC网自营直供，PHD9NQ20T均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
PHD9NQ20T（制造商：Nexperia），技术规格MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK FET，MOSFET - 单-晶体管
