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图片信息

基本资料：

零件型号：PSMN8R5-60YS,115

制造厂商：NXP

技术规格：MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK

功能类别：单端场效应管

点击此处下载PSMN8R5-60YS,115的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

NXP恩智浦完整型号：PSMN8R5-60YS,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：76A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2370pF @ 30V

功率 - 最大值：106W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK

供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8

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PSMN8R5-60YS,115（制造商：NXP），技术规格MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK 单端场效应管

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