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MoSys近 20 年来一直在开发基于存储器的产品。MoSys公司业务始于 1-T(晶体管)存储器 IP 的开发。1 T-SRAM 的访问速度接近 SRAM,但其支持的密度接近 RLDRAM。大多数存储器制造商都将注意力集中在存储器的速度或密度上,并认为一个尺寸就会适合所有。作为 MoSys 存储器发展的一部分,在许多系统中完成的常见任务被识别并作为存储器内置功能添加到内存中,以加快执行速度。

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