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IRLHS6376TRPBF(IR)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
IRLHS6376TRPBF图片
基本资料:
  • 零件型号:IRLHS6376TRPBF
  • 制造厂商:IR
  • 技术规格:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 功能类别:场效应管阵列
  • 点击此处下载IRLHS6376TRPBF的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IRLHS6376TRPBF
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.6A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:6-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-PQFN(2x2)
  • 买IC网自营直供,IRLHS6376TRPBF均从电子元器件代理商采购,确保原装正品!
  • IRLHS6376TRPBF(制造商:IR),技术规格MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN 场效应管阵列
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