IRF7665S2TR1PBF（IR）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：IRF7665S2TR1PBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A（Ta），14.4A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 8.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 25μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：515pF @ 25V功率 - 最大值：2.4W安装类型：表面贴装产品封装：DirectFET 等距 SB供应商器件封装：DIRECTFET SB买IC网自营直供，IRF7665S2TR1PBF均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
IRF7665S2TR1PBF（制造商：IR），技术规格MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB 单端场效应管
