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IRF7507TR(IR)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
IRF7507TR图片
基本资料:
  • 零件型号:IRF7507TR
  • 制造厂商:IR
  • 技术规格:MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8
  • 功能类别:场效应管阵列
  • 点击此处下载IRF7507TR的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IRF7507TR
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.4A,1.7A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):140 毫欧 @ 1.7A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:Micro8
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  • IRF7507TR(制造商:IR),技术规格MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8 场效应管阵列
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