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图片信息

基本资料：

零件型号：FQD30N06TF_F080

制造厂商：Fairchild

技术规格：MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

功能类别：单端场效应管

点击此处下载FQD30N06TF_F080的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：FQD30N06TF_F080

制造厂家名称：Fairchild 仙童半导体（已被ON安森美收购）

描述：MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 11.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：945pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

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FQD30N06TF_F080（制造商：Fairchild），技术规格MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK 单端场效应管

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