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FQB19N20LTM(Fairchild)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
FQB19N20LTM图片
基本资料:
  • 零件型号:FQB19N20LTM
  • 制造厂商:Fairchild
  • 技术规格:MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
  • 功能类别:单端场效应管
  • 点击此处下载FQB19N20LTM的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQB19N20LTM
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):21A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):140 毫欧 @ 10.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.13W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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    FQB19N20LTM(制造商:Fairchild),技术规格MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK 单端场效应管
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