EPC2016C（EPC）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：EPC2016C制造商：EPC描述：GANFET N-CH 100V 18A DIE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：eGaN?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 11A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 3mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.5nC @ 5VVgs（最大值）：+6V，-4V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：420pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：模具买IC网自营直供，EPC2016C均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
EPC2016C（制造商：EPC），技术规格GANFET N-CH 100V 18A DIE 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
