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图片信息

基本资料：

零件型号：DMN2010UDZ-7

制造厂商：Diodes

技术规格：MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

点击此处下载DMN2010UDZ-7的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：DMN2010UDZ-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：24V

25°C时电流-连续漏极(Id)：11A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 5.5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.2nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2665pF @ 10V

功率-最大值：700mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-UDFN

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DMN2010UDZ-7（制造商：Diodes），技术规格MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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