DMN1019UFDE-7（Diodes）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：DMN1019UFDE-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 9.7A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50.6nC @ 8VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2425pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：690mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：U-DFN2020-6（E 类）买IC网自营直供，DMN1019UFDE-7均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
DMN1019UFDE-7（制造商：Diodes），技术规格MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
